DRAM卷市場失敗
IC insight預測下降DRAM一點一點增長平均年度DRAM體積增長預測從83%下降在1995 - 1999年期間從2010年到2014年只有36%。
預測包括DRAM和NAND閃存市場趨勢和預測到2018年,表明DRAM一點量呈現(xiàn)下降趨勢自1990年代中期,在最近的五年跨越預計將顯示平均每年增長率僅為36%。
全球經(jīng)濟深陷衰退阻礙DRAM一些銷量增長在2009 - 21%的歷史低位相當對比從1994年到2000年年度銷量增長超過70%。
2010年全面衰退的復蘇和DRAM供應商過渡到≥1 gb達利克,有些體積增加了47%,在2011年一個額外的51%。
但相當強勁增長是短暫的。在2012年和2013年,數(shù)量只增長了28%和28%,分別由于標準PC出貨量的減少(DRAM)的主要應用程序和主要操作系統(tǒng)升級提高這些系統(tǒng)的平均DRAM內(nèi)存的內(nèi)容。
IC insight預測2014年一個類似的場景會再次上演——低DRAM有點增長由于出貨量下降標準的桌面和筆記本電腦。
經(jīng)濟放緩在PC出貨量大大影響了DRAM卷被消耗。臺式機/筆記本電腦段代表了不到一半的DRAM鉆頭總額在2012年首次和它的份額預計將在2014年降至31%,市場份額從2010年的一半。
同時,DRAM一些消費近年來移動和服務器應用程序增長。2014年,移動系統(tǒng)預計將成為最大的應用DRAM體積,超過臺式機/筆記本市場,一直以來的基本驅(qū)動力DRAM消費。
DRAM有些卷在服務器段近年來顯示一個不錯的提高。在2010年至2014年之間,三代英特爾服務器處理器已經(jīng)介紹了22納米Haswell(最新提供)15芯和集成的高速內(nèi)存控制器,可以支持6 DRAM的結(jié)核病(tb)。
英特爾Haswell有能力解決三倍的內(nèi)存相比,該公司的32 nm Westmere處理器2012年航運和五倍的內(nèi)存相比2010年45納米Nehalem處理器。盡管服務器出貨量的數(shù)量可能不會迅速增長,DRAM有些卷為這些系統(tǒng)目前享受強勁。
蹺板開關(guān)http://www.koudejun.com |