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800 V MOSFET結(jié)合效率和熱性能
英飛凌科技推出了800 V CoolMOS P7系列�；趕uperjunction技術(shù),這800 V MOSFET結(jié)合了高性能和非凡的易用性。
這個(gè)新產(chǎn)品族是一個(gè)完美的適合低功耗smp應(yīng)用,性能完全滿足市場(chǎng)需求,易于設(shè)計(jì)和價(jià)格/性能比。它主要側(cè)重于反激變換器拓?fù)渲型ǔ?yīng)用適配器,LED照明、音頻、工業(yè)和輔助動(dòng)力。
800 V CoolMOS P7系列提供了高達(dá)0.6%的效率增益。這轉(zhuǎn)化為2 - 8°C下MOSFET溫度比CoolMOS C3或競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手部分在典型的回掃應(yīng)用程序進(jìn)行測(cè)試。這個(gè)新的基準(zhǔn)測(cè)試結(jié)果的組合優(yōu)化設(shè)備參數(shù):包括減少超過50%的E oss和Q g,以及減少C iss和C oss。進(jìn)一步改善性能使高功率密度設(shè)計(jì)通過降低切換損失和更好DPAK R DS(上)產(chǎn)品。總的來說,這將幫助客戶節(jié)省BOM成本和減少裝配工作。
易用性是一個(gè)內(nèi)在的特性設(shè)計(jì)的產(chǎn)品族。集成穩(wěn)壓二極管顯著提高ESD強(qiáng)度,從而減少委托人相關(guān)生產(chǎn)產(chǎn)量的損失。MOSFET容易驅(qū)動(dòng),設(shè)計(jì)由于其行業(yè)領(lǐng)先V(GS)的th 3 V和最小的GS(th)的變化只有±0.5 V這種組合允許較低的驅(qū)動(dòng)電壓和較低的切換損失。此外,它有助于避免無(wú)意的操作在線性區(qū)域。
800 V的家庭CoolMOS P7場(chǎng)效電晶體可以在12 R DS()類和6個(gè)包完全解決目標(biāo)應(yīng)用程序的需要。產(chǎn)品R DS(上)280 mΩ,450 mΩmΩ1400和4500 mΩ現(xiàn)在可以訂購(gòu)。
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