4 SiC MOSFET-based功率模塊了

理查森RFPD宣布股票和完整的可用性設(shè)計(jì)的支持能力四個(gè)新1200 v SiC MOSFET-based Vincotech電源模塊。

Vincotech設(shè)備代表了新一代的1200 v SiC MOSFET-based功率模塊,并專門為太陽(yáng)能、UPS和電池管理應(yīng)用程序。

兩個(gè)版本的模塊是可用的。首先是0 flow3xPHASE SiC三相逆變器模塊3 x巴克/增強(qiáng)和分割輸出拓?fù)�。第二個(gè)版本是flow3xBOOST 0 SiC與三通道振電路。三個(gè)電路不連接,給設(shè)計(jì)工程師靈活地使用它們作為單獨(dú)的電路或附加并聯(lián)電阻電流傳感。flow3xPHASE 0 SiC配置可能被用作雙向DC-to-AC三相逆變器或一個(gè)三通道雙向DC-to-DC逆變器。

兩個(gè)版本功能最新一代的SiC MOSFET開(kāi)關(guān)用于超高速開(kāi)關(guān)頻率> 100千赫。他們能夠?qū)崿F(xiàn)最高效率> 99% fPWM 64千赫。配備集成DC電容器,這些新的流0 SiC模塊提供超低電感。

根據(jù)Vincotech,額外的新電源模塊的主要功能包括:

三相逆變器與分割輸出更好的交換行為(打開(kāi)能源和減少cross-conduction抑制)

三通道助推器

羅姆,克里族力量SiC MOSFET和權(quán)力碳化硅肖特基二極管

溫度傳感器

船形開(kāi)關(guān)http://www.koudejun.com