異構(gòu)SiP設(shè)備集成HBM2 DRAM和fpga

阿爾特拉近日公布了一異構(gòu)System-in-Package(SiP)設(shè)備集成堆放高帶寬內(nèi)存(HBM2)從SK海力士與高性能Stratix 10 fpga和出類拔萃。

Stratix 10 DRAM SiP代表一個新類的設(shè)備,具體架構(gòu)在高性能系統(tǒng)滿足要求內(nèi)存帶寬的要求。

Stratix 10 DRAM SiP將提供超過10 x高內(nèi)存帶寬相對于離散DRAM今天可用的解決方案。這種級別的帶寬需要在數(shù)據(jù)中心,廣播,有線網(wǎng)絡(luò)和高性能計算系統(tǒng),處理日益增加的數(shù)據(jù)量。

阿爾特拉是第一個公司將這3 d堆疊內(nèi)存技術(shù)和FPGA。Stratix 10 DRAM SiP允許用戶定制他們的工作負載,實現(xiàn)最高的內(nèi)存帶寬的高效的方式。阿爾特拉目前正在與十幾個客戶將這些DRAM SiP產(chǎn)品集成到他們的下一代高端系統(tǒng)。

異構(gòu)SiP產(chǎn)品從阿爾特拉通過使用英特爾嵌入式Multi-Die互連(EMIB)技術(shù)的橋梁。EMIB技術(shù)使用一個小高性能、高密度硅橋來連接多個死在一個包中。EMIB技術(shù)特性死之間很短的痕跡,讓阿爾特拉成本效益建立異構(gòu)SiP設(shè)備提供更高性能和更高的吞吐量較低的功率比interposer-based解決方案。

“支持更高的內(nèi)存帶寬要求是我們的許多客戶面對的最大挑戰(zhàn)是他們實現(xiàn)更多的計算密集型任務(wù)系統(tǒng),如機器學(xué)習(xí),大數(shù)據(jù)分析、圖像識別、工作負載加速和8 k視頻處理,”丹尼Biran說,公司戰(zhàn)略和市場營銷的高級副總裁阿爾特拉。“阿爾特拉在一個獨特的位置為這些系統(tǒng)需求,結(jié)合FPGA行業(yè)最高的性能和高帶寬的記憶在一個包中。沒有其他可編程解決方案可以匹配Stratix 10 DRAM SiP在性能方面,功率效率和內(nèi)存帶寬”。

SK海力士的高帶寬內(nèi)存提供了非常高的帶寬在使用更少的力量遠遠小于形式相比競爭內(nèi)存解決方案。高帶寬內(nèi)存(HBM2)垂直堆棧DRAM模和互聯(lián)使用在矽通過(tsv)和microbumps。集成異構(gòu)的HBM2 SiP實現(xiàn)使阿爾特拉包DRAM內(nèi)存盡可能接近FPGA死,縮短線路長度和提供最高的內(nèi)存帶寬以最低的權(quán)力。

“高性能應(yīng)用程序驅(qū)動行業(yè)需求HBM2 DRAM技術(shù)。在256 gb-per-second帶寬和能源每低66%,HBM2開辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域,以前無法想象的,”Kevin Widmer說SK海力士美國技術(shù)營銷的副總裁。“結(jié)合高性能fpga和HBM2到單個system-in-package代表提供節(jié)能的一個重要里程碑,高帶寬計算能力。”

蹺板開關(guān)http://www.koudejun.com