半橋評估板簡化GaN晶體管電路設(shè)計

GaN系統(tǒng)、氮化鎵功率晶體管的制造商,宣布其新的網(wǎng)格狀的評估板展示了性能的氮化鎵增強型功率半導(dǎo)體的功率電路。

功能齊全的GS66508T-EVBHB Eval董事會很容易配置到任何一半bridge-based拓撲,包括增加和巴克模式。Eval董事會有一個快速啟動指令指導(dǎo)和YouTube視頻鏈接已經(jīng)安裝在幾分鐘內(nèi)啟動并運行。Eval板可用于同步提升或巴克轉(zhuǎn)換,以及脈沖開關(guān)晶體管波形進行評估。裝備有完整的文檔,包括材料清單組成部分的數(shù)字,PCB布局和熱管理和柵極驅(qū)動電路參考設(shè)計也是有用的系統(tǒng)工程師在他們的產(chǎn)品中使用。

旨在為電氣工程師提供一個完整的功率級工作,評估板由兩個650 v,30 GS66508T GaN場效應(yīng)晶體管,半橋門司機,門驅(qū)動電源和散熱片。甘GS66508T高功率晶體管是基于系統(tǒng)的島技術(shù)和其650 v家族屬于高密度設(shè)備實現(xiàn)極其高效能源轉(zhuǎn)換與快速切換的速度> 100 v / nS和超低熱損失。

GaN系統(tǒng)唯一一家已經(jīng)開發(fā)和productised全面組合的氮化鎵功率晶體管電壓評級100 v和650 v,電流評級從7 - 250。GaN系統(tǒng)島技術(shù)模具設(shè)計,加上極低的電感和熱效率GaNPX包裝,提供與45 x改善氮化鎵場效應(yīng)晶體管開關(guān)和導(dǎo)電性能比傳統(tǒng)的硅mosfet和igbt。

30 / 55 mΩGS66508T氮化鎵功率晶體管是near-chip-scale船殼和冷卻特性,thermally-efficient GaNPX包裝。功率轉(zhuǎn)換效率98.7%至1.5 kw所示產(chǎn)品文檔,可以復(fù)制在主人的實驗室。

Eval董事會提供了輸出功率電感和電容的足跡允許用戶配置板成期望的提高或巴克運作模式。提供訪問晶體管結(jié)溫熱電偶墊和熱感攝像機成像港口。應(yīng)該9 vdc電源輸入12 vdc的絕對最大15 v。車載穩(wěn)壓器創(chuàng)建+ 5 v邏輯電路和門驅(qū)動器+ 6.5 v。有三種操作模式:脈沖測試模式;美元/標準半橋模式,推動模式。

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