英飛凌第五代1200 V碳化硅肖特基二極管

英飛凌科技推出了第五generation1200V thinQ !碳化硅肖特基二極管。

該公司聲稱新超低正向電壓1200 v碳化硅二極管特性即使在操作溫度,超過100%改善沖擊電流能力和優(yōu)良的熱行為。

這些特性導(dǎo)致顯著的效率改善和健壯的操作在太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、三相smp(開關(guān)模式電源)和電機驅(qū)動器。

“第五代”碳化硅二極管使用一個新的芯片設(shè)計緊湊,實現(xiàn)了合并在肖特基cell-field pn結(jié)工程。

這使得每個芯片面積較小的微分電阻。因此,二極管的損失減少30%比前代可以實現(xiàn);例如,在前端增加為三相太陽能逆變器操作與滿載20 khz。

在150°C的結(jié)溫,典型的正向電壓只有1.7 v,這是比上一代少30%。這是市場上最低的正向電壓為1200 v碳化硅二極管。因此,新碳化硅二極管尤其適合應(yīng)用程序操作在相對較高的負載(如UPS系統(tǒng)。此外,即使在低開關(guān)頻率提高系統(tǒng)效率。

根據(jù)二極管電流評級,沖擊電流能力現(xiàn)在標(biāo)稱電流的額定14倍確保強勁的二極管操作在應(yīng)用程序當(dāng)前的事件。這使得消除一個旁路二極管,從而減少復(fù)雜性和系統(tǒng)成本。

“新一代5碳化硅二極管突顯英飛凌的目標(biāo)交付產(chǎn)品,為消費者提供了機會獲得最高效率的設(shè)計。二極管減少損失,更大范圍的開關(guān)頻率可以解決,而可靠性擴展是由于增加的沖擊電流能力,”羅蘭說石碑,營銷總監(jiān)IGBT在英飛凌科技和SiC權(quán)力分立器件。最新一代的英飛凌的碳化硅肖特基二極管是一大進步開發(fā)前途的碳化硅材料的潛能。”

實現(xiàn)新1200 v thinQ !碳化硅肖特基二極管結(jié)合英飛凌的一流1200 v Highspeed3 IGBT在促進和功率因數(shù)校正(PFC)增加了系統(tǒng)級拓撲帶來顯著的好處。不僅二極管中的損失減少,而且Highspeed3 IGBT的性能改善是由于減少刺激損失(導(dǎo)致較小的散熱器或提高效率),降低EMI(較小的成本效益的EMI濾波器)解決方案相比,使用傳統(tǒng)的硅二極管。

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