氮化鎵射頻晶體管增加數(shù)據(jù)速率

該行業(yè)的第一個300 w,2.7 ghz塑料包裝GaN telecomms晶體管晶體管中自稱是發(fā)布的克里族在國際微波研討會,本周美國佛羅里達(dá)州坦帕市。

GaN射頻晶體管的塑料包裝設(shè)計利用優(yōu)越的射頻性能的氮化鎵低成本的平臺,聲稱該公司。初始產(chǎn)品包括塑料包裝行業(yè)首個300 w晶體管工作在2.7 GHz,提供“無與倫比”舉行Psat效率65%和寬帶能力近一半的價格在同一GaN晶體管安置在一個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)陶瓷封裝。

晶體管是可伸縮的高功率水平和操作在所有細(xì)胞telecomms樂隊3.8 ghz。他們可以部署更小、成本更低的宏單元廣播單位能夠支持?jǐn)?shù)據(jù)要求今天的細(xì)胞LTE網(wǎng)絡(luò)。

操作多個細(xì)胞樂隊幫助網(wǎng)絡(luò)運營商部署載波聚合加入不同波段的光譜和創(chuàng)建更大的網(wǎng)絡(luò)容量增加的數(shù)據(jù)管道。蜂窩基站oem廠商也可以使用更少的band-specific放大器加快進(jìn)入市場的步伐。

功率60、100、150、200和300 w。塑料GaN HEMT射頻晶體管然后利用針對預(yù)匹配細(xì)胞樂隊在690 - 960 mhz、1800 - 2300 mhz或2300至2700 mhz。

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