東芝冷卻場(chǎng)效電晶體

東芝電子歐洲(三通)宣布,其高效、低壓MOSFET技術(shù)現(xiàn)在可用在超小型DSOP提前包選項(xiàng)。

新包提供網(wǎng)上同時(shí)顯著提高散熱冷卻。這將有助于high-component-density應(yīng)用程序的設(shè)計(jì)者PCB溫度降到最低,提高性能沒(méi)有板空間處罰。

DSOP提前包共享相同的5毫米x 6毫米足跡SOP推進(jìn)裝置。比較測(cè)試操作溫度,當(dāng)與一個(gè)合適的結(jié)合使用散熱片- 30 v mosfet在電流超過(guò)30減少34%以上。此外,在一些設(shè)計(jì)的減少熱阻DSOP包可能支持消除散熱器。

東芝將提供DSOP提前包以其現(xiàn)有umo VIII-H及其新umo IX-H MOSFET技術(shù)的家庭。這些技術(shù)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的阻力(RDS(上))評(píng)級(jí)較低的輸出電容提供高效切換性能。DSOP推進(jìn)選項(xiàng)可以的場(chǎng)效應(yīng)管電壓等級(jí)的最初30 v到100 v。

目標(biāo)應(yīng)用程序?yàn)樾翫SOP推進(jìn)場(chǎng)效電晶體將包括高功率密度、高性能開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)包括同步整流電路在服務(wù)器和電信電源設(shè)備,以及電動(dòng)工具。