船型開關TriQuint聲稱半導體突破

TriQuint半導體生產行業(yè)的第一個氮化鎵(GaN)晶體管使用氮化鎵在金剛石圓片承諾大幅降低半導體的溫度,保持了高射頻性能。

根據(jù)TriQuint,其突破性技術使新一代的射頻放大器三次或三次小的力量,今天的甘肅的解決方案。

操作溫度很大程度上決定了高性能半導體可靠性。這是特別關鍵的設備,有能力的氮化鎵功率密度非常高。

“通過增加熱導率和減少設備溫度,我們啟用新一代的設備,可能遠GaN小于今天的產品。這給重要的射頻設計和運營方面的好處對我們的商業(yè)和國防客戶,”詹姆斯·l·克萊恩,TriQuint的副總裁和總經(jīng)理對基礎設施和防御產品。

TriQuint展示了其新的gan鉆石、高電子遷移率晶體管(HEMT)會同伙伴的布里斯托爾大學的Group4實驗室和洛克希德馬丁公司在美國國防高級研究計劃局(DARPA)附近結熱運輸(NJTT)程序。

NJTT是第一個主動DARPA的新的“嵌入式冷卻的程序,包括ICECool基本面和ICECool應用研究和開發(fā)活動。NJTT關注設備熱阻的路口附近的晶體管。

熱電阻內部器件結構可以負責50%以上的正常操作溫度增加。TriQuint的研究表明,氮化鎵射頻設備可以工作在更高的功率密度和在較小的尺寸,通過其高效的熱管理技術。

TriQuint的突破包括成功轉移一個半導體外延疊加到一個人造金剛石襯底,提供一個高的熱導率和較低的熱邊界阻力,同時保護臨界氮化鎵晶體層。

這一成就是聲稱是第一個證明的可行性鉆石gan HEMT設備。結果表明TriQuint實現(xiàn)主要的日期NJTT 3倍的目標改善散熱,同時保留射頻功能;這一成就支持減少功率放大器輸出功率大小或增加由三個因素造成的。

額外的加工改進和廣泛的設備測試正在進行中,以優(yōu)化外延層轉移過程,充分描述的增強可以達到的這些新HEMT設備。http://www.koudejun.com

船型開關TriQuint聲稱半導體突破

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