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船形開關(guān)威世Intertechnology揭開新的n溝道功率MOSFET
威世Intertechnology已經(jīng)發(fā)布了一個(gè)新的n溝道TrenchFET功率MOSFET的熱增強(qiáng)PowerPAK所以8包,擴(kuò)展了公司的ThunderFET技術(shù)到150 V。
威世Siliconix的SiR872ADP提供低導(dǎo)通電阻的18 mΩ在10 V和23 mΩ在7.5 V的同時(shí)保持低門負(fù)責(zé)31數(shù)控典型在10 V,22.8數(shù)控典型在7.5 V。
該設(shè)備是優(yōu)化了原邊開關(guān)和二次側(cè)同步整流的直流/直流轉(zhuǎn)換器,DC / AC逆變器,提高轉(zhuǎn)換器為電信磚頭,太陽(yáng)能,無(wú)刷直流電機(jī)許多獨(dú)立的。在這些應(yīng)用中,SiR872ADP提供45%的低導(dǎo)通電阻比上一代設(shè)備來(lái)減少傳導(dǎo)損失,提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。
這個(gè)SiR872ADP提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻次門電荷——一個(gè)關(guān)鍵的品質(zhì)因數(shù)(FOM)在直流/直流轉(zhuǎn)換器mosfet的mΩ-nC應(yīng)用- 563在10 V,524 mΩ-nC在7.5 V .設(shè)備的FOM和開關(guān)損耗降低傳導(dǎo)來(lái)提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。通過(guò)提供更高的性能比多上一代設(shè)備,可以減少整體組件MOSFET計(jì)數(shù)和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
是100%的SiR872ADP Rg -和ui測(cè)試,無(wú)鹵環(huán)保型根據(jù)JEDEC JS709A定義,并符合RoHS指令2011/65 /歐盟。設(shè)備連接最近發(fā)布的100 V和80 V SiR846ADP和SiR870ADP SiR826ADP ThunderFET mosfet,提供設(shè)計(jì)師各種中壓選項(xiàng)在PowerPAK所以8包。威世地址所有的需求功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用程序通過(guò)它的ThunderFET,TrenchFET創(chuàng)四、E / D系列mosfet。http://www.koudejun.com
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